美国国籍，微纳电子科学家。1945年11月生于甘肃省兰州市。1974年获得美国耶鲁大学博士学位。2003年当选为美国工程院院士。

马佐平对金属/氧化物/半导体(MOS)的科学认知及技术发展，尤其是在MOS栅介质 (包括高介电常数的栅介质）的科技领域做出重要贡献。1970年始他在做超薄（～4纳米）栅氧化硅研究中指出隧穿电流对MOS特性的重要影响，发现了辐射效应或热载子效应所产生的界面陷阱与在界面附近的应变分布有直接的关联，而据此提出一个“栅诱导的应变分布”模式来解释实验的结果，推出在栅氧化硅内掺入极小量的诸如氟、氯或氮等杂质来促成应变的弛豫以降低辐射或热载子效应的方法。发现了一个在经历辐照MOS内的界面陷阱的转型现象，并随后对此做了系统的研究。他最先提出用氮化硅(Si₃N₄)做MOS栅介质以取代二氧化硅(SiO₂)的概念并首先用实验证明其可行性，推动了近年引入用更高介电常数的栅介质的理念，进而推展未来的MOS科技。最近Intel、IBM等公司宣布量产High-k Gate Dielectrics的芯片， 正式实践了马佐平早期理念。最近，他的研究小组创先使用“非弹性电子隧道谱”（IETS）的方法来探测超薄高介电常数的介质内的微结构、微缺陷及杂质。IETS有望将来被广泛使用，从而进一步推动MOS栅介质的研究及发展。

马佐平在耶鲁大学培养了大批华裔微电子科技专家，其中40多位中国学生在他指导下获得博士学位。1993年以来，他几乎每年都回国，多次到中国航天技术院、中国科学院、清华大学、北京大学、山东大学、天津大学、复旦大学、上海交通大学、厦门大学等科研机构和大学讲学。1994年至2000年间，马佐平研究小组与中科院新疆物理所的辐射效应小组密切合作，促使中科院新疆物理所成为中国的半导体器件的辐射效应中心之一。2002年到2005年，与清华大学共同研发制造先进的闪存器件，对清华大学闪存科研的进展有较大的贡献。2005年，马佐平与北大微电子学研究院王阳元共同成立了北大-耶鲁微纳电子合作研究中心，合作研讨微电子及纳米电子领域的最先进的科学课题。马佐平受聘为福建省信息产业专家委员会委员，福建省政府顾问，苏州工业园区微电子业首席顾问。2010年，马佐平将与国内同行专家在中国合作主办第十届国际固态和集成电路技术会议（ICSICT）。