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胡凤霞
胡凤霞  
2002年8月获中科院物理研究所理学博士学位,后在香港大学从事博士后研究,2006 年作为“引进国外杰出人才计划”到中国科学院物理所磁学国家重点实验室工作。曾任磁学国家重点实验室主任。现任M03组课题组长。兼任中国稀土学会磁制冷专业委员会秘书长、副主任,中国晶体学会理事。主要研究方向:(1)磁性材料相变调控:磁热、压热和耦合热效应机理研究(2)氧化物自旋电子学:复杂氧化物界面轨道和自旋调...
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详细介绍

20028月获中科院物理研究所理学博士学位,后在香港大学从事博士后研究,2006 年作为引进国外杰出人才计划到中国科学院物理所磁学国家重点实验室工作。曾任磁学国家重点实验室主任。现任M03组课题组长。兼任中国稀土学会磁制冷专业委员会秘书长、副主任,中国晶体学会理事。


主要研究方向:

1)磁性材料相变调控:磁热、压热和耦合热效应机理研究
2)氧化物自旋电子学:复杂氧化物界面轨道和自旋调控研究

 

过去的主要工作及获得的成果:
(1)发现了新型 La(Fe,Si)13 基大磁热效应材料并获得了核心发明专利,阐明了巨大磁热效应源自晶格负热膨胀和巡游电子变磁转变行为,单篇论文最高引用 1050 余次,是国际上80 多年来有关磁热效应论文被引用次数最高的篇论文之一。自发现以来,国内外已有200 多个实验室跟随研究,该材料目前已成为国际上公认的最具应用前景的新型磁制冷材料。
(2)利用应变记忆效应成功实现了FeRh巨磁热薄膜滞后损耗的非易失性调控、解决了磁制冷样机设计中遇到的双场循环的瓶颈问题。
(3)利用非公度螺旋磁结构引入的晶格畸变和织构效应在MnFeNiGe材料体系实现了远大于晶格本征贡献的超大负热膨胀(NTE),为探索NTE材料提供了新策略。
(4)首次在复杂氧化物中成功实现了B位阳离子和氧离子协同迁移驱动的连续拓扑相变,其诱发的B位离子3d电子轨道占据和自旋态重构导致磁电性质发生显著改变,为拓展离子介导的拓扑相变的综合应用提供了新途径。

J. Am. Chem. Soc., Adv. Mater., Nano energy, Mater. Horiz., Acta Mater., Chem. Mater., Phys.Rev.Lett./Phys.Rev.B, Appl.Phys.Lett./APL mater.等刊物发表论文160余篇,他人引用5600余次,第一作者单篇最高引用1050余次。获授权发明专利30余项(含美、日、欧4项国际专利授权)。

2012年度国家自然科学二等奖(2)2014年度陈嘉庚技术科学奖(2)2011年度北京市科学技术奖一等奖(2)

 

目前的研究课题及展望:

1)研究磁晶耦合体系自旋序、晶格序等关联量子序演变对磁热、压热、弹热以及耦合热效应的影响机制,相变调控和反常热膨胀,寻找多场调控增强热效应途径,探索发展新型高效全固态制冷器件。
2)通过选择性强化特定自由度间的关联研究强量子限域下复杂氧化物自旋基态、激发态和输运动力学行为以及界面电荷/自旋/轨道重构等量子演生现象,并研究其对外场的响应规律。

正在承担:国家自然科学基金委重点项目2项、面上项目1项;国家重点基础研究发展计划(973) 2项;科学院前沿课题及国际合作项目。

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