朱慧珑

朱慧珑，中国科学院微电子研究所研究员，博士生导师。提出了多项提高芯片性能的核心技术方案，其中包括双应力薄膜（DualStressLiner）、应力近临技术（stressproximitytechnique）、减薄栅极的应变MOSFET等；·较系统地研究了锗和锑在SixGe1-x体系中的扩散现象，提出了新的数学模型及解析解法，并第一次给出了精确描述锗和锑在SixGe1-x体系中扩散系数的公式。2000年-2009年IBM半导体研究和开发中心(SRDC),位于纽约的HopewellJunction。.提出了多项提高芯片性能的核心技术方案，其中包括双应力薄膜(DualStressLiner)、应力近临技术(stressproximitytechnique)、减薄栅极的应变MOSFET等。较系统地研究了锗和锑在SixGe1-x体系中的扩散现象，提出了新的数学模型及解析解法，并第一次给出了精确描述锗和锑在SixGe1-x体系中扩散系数的公式。

朱陶

朱陶,就职于中石化化工销售华东分公司合纤原料部,现任经理一职。朱陶2015年09月20日,朱陶受邀参加了由中国化工信息中心在华新镇华腾公路288号主办的《第四届全国环氧乙烷及下游产品技术/市场研讨会》

栾志强

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孟明扬

孟明扬,就职于沈阳化工研究院,现任教授级高工一职。孟明扬2015年10月28日,孟明扬受邀参加了由山东省化工研究院在博城五路406号主办的《2015（第四届）中国化工产学研高峰论坛》

孙江燕

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Dr.Han,Xiangmin

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周益同

周益同,就职于普华咨询-环球聚氨酯网,现任市场分析师一职。周益同2015年01月08日,周益同受邀参加了《中国汽车新材料应用趋势发展2015论坛》

Daniel Mink

DanielMink，副教授，荷兰帝斯曼医药化学品，生物催化在工业中的应用，2015年邀参加了《2015第六届国际工业酶与生物催化大会》，并发表了精彩演讲。

H. Mitchell Stevens

H.MitchellStevens，尼斯加族民族总统，2015年受邀参加了《2015中国国际LNG峰会》并发表了精彩演讲。

Volker Hessel

VolkerHessel，教授，荷兰埃因霍芬理工大学流动化学通过之窗，精细化工和生物催化，2015年受邀参加了《2015第六届国际工业酶与生物催化大会》，并发表了精彩演讲。