郑有炓
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半导体材料与器件物理专家,主要从事新型半导体异质结构材料与器件研究。1935年10月1日生于福建大田。1957年毕业于南京大学物理系。2003年当选为中国科学院院士。

半导体材料与器件物理专家,主要从事新型半导体异质结构材料与器件研究。1935年10月1日生于福建大田。1957年毕业于南京大学物理系。2003年当选为中国科学院院士。

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郑有炓  半导体材料与器件物理专家,主要从事新型半导体异质结构材料与器件研究。1935年10月1日生于福建大田。1957年毕业于南京大学物理系。2003年当选为中国科学院院士。
半导体材料与器件物理专家,主要从事新型半导体异质结构材料与器件研究。1935年10月1日生于福建大田。1957年毕业于南京大学物理系。2003年当选为中国科学院院士。
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半导体材料与器件物理专家,主要从事新型半导体异质结构材料与器件研究。1935年10月1日生于福建大田。1957年毕业于南京大学物理系。2003年当选为中国科学院院士。

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